IRF530STRLPBF
MOSFET N-CH 100V 14A D2PAK
НОВА часть #:
312-2263509-IRF530STRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF530STRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 14A (Tc) 3.7W (Ta), 88W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | IRF530 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 14A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 160mOhm @ 8.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 26 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 670 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.7W (Ta), 88W (Tc) | |
| Другие имена | IRF530STRLPBF-ND IRF530STRLPBFCT IRF530STRLPBFTR IRF530STRLPBFDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF530NSTRLPBFInfineon Technologies
LM317AEMPX/NOPBTexas Instruments
B5817WS-F2-0000HFYangzhou Yangjie Electronic Technology Co.,Ltd
SMBJ5340BE3/TR13Microchip Technology
MC22FA911J-FCornell Dubilier Electronics (CDE)
GF1B-E3/67AVishay General Semiconductor - Diodes Division
IRF9630SPBFVishay Siliconix
G6K-2F-RF DC12Omron Electronics Inc-EMC Div
TZMC6V2-GS18Vishay General Semiconductor - Diodes Division
EL7104CSZRenesas Electronics America Inc
1N4148W-7-FDiodes Incorporated- MC22FD681J-FCornell Dubilier Electronics (CDE)
- IRF530STRRPBFVishay Siliconix
