CSD18535KTT
MOSFET N-CH 60V 200A DDPAK
НОВА часть #:
312-2288983-CSD18535KTT
Производитель:
Номер детали производителя:
CSD18535KTT
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 200A (Ta) 300W (Tc) Surface Mount DDPAK/TO-263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Texas Instruments | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | DDPAK/TO-263-3 | |
| Базовый номер продукта | CSD18535 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | NexFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 200A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2mOhm @ 100A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 81 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-4, D²Pak (3 Leads + Tab), TO-263AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 6620 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 300W (Tc) | |
| Другие имена | 296-48121-6 296-48121-1 296-48121-2 CSD18535KTT-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
LTC6994CS6-1#TRMPBFAnalog Devices Inc.
AP7361-33E-13Diodes Incorporated
MAX3051EKA+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
FT231XS-UFTDI, Future Technology Devices International Ltd
CSD18535KTTTTexas Instruments
SQM40031EL_GE3Vishay Siliconix
LSF0102DCURTexas Instruments
