FDD6N50TM-WS
MOSFET N-CH 500V 6A DPAK
НОВА часть #:
312-2287804-FDD6N50TM-WS
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD6N50TM-WS
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 500 V 6A (Tc) 89W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD6N50 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | UniFET™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 900mOhm @ 3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16.6 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 9400 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 89W (Tc) | |
| Другие имена | FDD6N50TM-WSDKR FDD6N50TM-WSTR FDD6N50TM_WSCT FDD6N50TMWS FDD6N50TM_WSDKR FDD6N50TM_WSCT-ND FDD6N50TM_WSTR-ND FDD6N50TM_WSDKR-ND FDD6N50TM_WS FDD6N50TM_WSTR FDD6N50TM-WSCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQD2P40TMonsemi
STD7N60M2STMicroelectronics
IPD60R600C6ATMA1Infineon Technologies
SS14FPonsemi
