IRF9530NSTRLPBF
MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288088-IRF9530NSTRLPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRF9530NSTRLPBF
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
P-Channel 100 V 14A (Tc) 3.8W (Ta), 79W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | IRF9530 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | HEXFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 14A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 200mOhm @ 8.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 58 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 760 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.8W (Ta), 79W (Tc) | |
| Другие имена | IRF9530NSTRLPBF-ND IRF9530NSTRLPBFTR IRF9530NSTRLPBFCT IRF9530NSTRLPBFDKR SP001563796 |
In stock Нужно больше?
0,86870 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IRF9540NSTRLPBFInfineon Technologies
IRF9540STRLPBFVishay Siliconix
IRF7832TRPBFInfineon Technologies- IRF530NSTRLPBFInfineon Technologies
IRF9530Harris Corporation
IRFR5410TRPBFInfineon Technologies- IRF9530SPBFVishay Siliconix
W5100PulseLarsen Antennas- IRF4905STRLPBFInfineon Technologies
TSM2N7002KCX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
MT41K256M16TW-107:PMicron Technology Inc.- IRF540NSTRLPBFInfineon Technologies
BTS500851TMAATMA1Infineon Technologies
