SQS481ENW-T1_GE3
MOSFET P-CH 150V 4.7A PPAK1212-8
НОВА часть #:
312-2287756-SQS481ENW-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQS481ENW-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
P-Channel 150 V 4.7A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 | |
| Базовый номер продукта | SQS481 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.7A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.095Ohm @ 5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 11 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 385 pF @ 75 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 62.5W (Tc) | |
| Другие имена | SQS481ENW-T1_GE3DKR SQS481ENW-T1_GE3CT SQS481ENW-T1_GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,74940 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
BAV20WS-E3-08Vishay General Semiconductor - Diodes Division
STL8N10LF3STMicroelectronics
SI7317DN-T1-GE3Vishay Siliconix
US1KHE3_A/HVishay General Semiconductor - Diodes Division
DMN67D8L-7Diodes Incorporated
FDMC2523Ponsemi
DFLS1150Q-7Diodes Incorporated
FDMC86259Ponsemi
SDM03U40Q-7Diodes Incorporated- FDMC86261Ponsemi
- SI7119DN-T1-E3Vishay Siliconix
NRVTSA3100ET3Gonsemi- FDMC86262Ponsemi
B140Q-13-FDiodes Incorporated