IPD15N06S2L64ATMA2
MOSFET N-CH 55V 19A TO252-31
НОВА часть #:
312-2285463-IPD15N06S2L64ATMA2
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD15N06S2L64ATMA2
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 55 V 19A (Tc) 47W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-11
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3-11 | |
| Базовый номер продукта | IPD15N06 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 19A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 64mOhm @ 13A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 14µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 55 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 354 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 47W (Tc) | |
| Другие имена | INFINFIPD15N06S2L64ATMA2 IPD15N06S2L64ATMA2TR IPD15N06S2L64ATMA2CT 2156-IPD15N06S2L64ATMA2 SP001063644 IPD15N06S2L64ATMA2DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
AD8630WARZ-R7Analog Devices Inc.
INA333AIDGKRTexas Instruments
FQD20N06TMonsemi
DFLS160-7Diodes Incorporated
IAUC120N04S6L008ATMA1Infineon Technologies
INA186A3QDCKRQ1Texas Instruments
EEH-ZE1H101PPanasonic Electronic Components
TLV4314QPWRQ1Texas Instruments
