IPB60R080P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 37A D2PAK
НОВА часть #:
312-2292311-IPB60R080P7ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB60R080P7ATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 37A (Tc) 129W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB60R080 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ P7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 37A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 80mOhm @ 11.8A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 590µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 51 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2180 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 129W (Tc) | |
| Другие имена | IPB60R080P7ATMA1TR IPB60R080P7ATMA1-ND IPB60R080P7 SP001664898 IFEINFIPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1DKR 2156-IPB60R080P7ATMA1 IPB60R080P7ATMA1CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB60R099P7ATMA1Infineon Technologies
IPB60R060C7ATMA1Infineon Technologies