SI4835DDY-T1-GE3
MOSFET P-CH 30V 13A 8SO
НОВА часть #:
312-2287780-SI4835DDY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4835DDY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 30 V 13A (Tc) 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4835 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 13A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 65 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| VGS (макс.) | ±25V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1960 pF @ 15 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 5.6W (Tc) | |
| Другие имена | SI4835DDY-T1-GE3TR SI4835DDY-T1-GE3CT SI4835DDYT1GE3 SI4835DDY-T1-GE3DKR |
In stock Нужно больше?
0,72390 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4435DDY-T1-GE3Vishay Siliconix- SI4401DDY-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI4425FDY-T1-GE3Vishay Siliconix
2N7002NTE Electronics, Inc
FDS6679AZonsemi
PCA9517ADP,118NXP USA Inc.- SI4835DDY-T1-E3Vishay Siliconix
SI4835DYFairchild Semiconductor
