SI7848BDP-T1-E3
MOSFET N-CH 40V 47A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2294590-SI7848BDP-T1-E3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI7848BDP-T1-E3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 40 V 47A (Tc) 4.2W (Ta), 36W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 | |
| Базовый номер продукта | SI7848 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 47A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9mOhm @ 16A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 50 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 2000 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 4.2W (Ta), 36W (Tc) | |
| Другие имена | SI7848BDP-T1-E3DKR SI7848BDP-T1-E3CT SI7848BDP-T1-E3-ND SI7848BDP-T1-E3TR SI7848BDPT1E3 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI7145DP-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7450DP-T1-GE3Vishay Siliconix
- SI7143DP-T1-GE3Vishay Siliconix
BCP53T1Gonsemi- SI7848BDP-T1-GE3Vishay Siliconix
SN74LVC1G80DBVRTexas Instruments
SI4925DDY-T1-GE3Vishay Siliconix- SI7178DP-T1-GE3Vishay Siliconix
LTC4020EUHF#PBFAnalog Devices Inc.
SI3433CDV-T1-GE3Vishay Siliconix
SI2302CDS-T1-E3Vishay Siliconix- SI7463DP-T1-GE3Vishay Siliconix
