FDD306P
MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252
НОВА часть #:
312-2282454-FDD306P
Производитель:
Номер детали производителя:
FDD306P
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
P-Channel 12 V 6.7A (Ta) 52W (Ta) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FDD306 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | PowerTrench® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6.7A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 28mOhm @ 6.7A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 21 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1290 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 52W (Ta) | |
| Другие имена | FDD306P-ND 2156-FDD306P-OS ONSONSFDD306P FDD306PTR FDD306PDKR FDD306PCT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
CSD25485F5TTexas Instruments
FDD4685onsemi
SI3493DDV-T1-GE3Vishay Siliconix
DMP4051LK3-13Diodes Incorporated- NP20P04SLG-E1-AYRenesas Electronics America Inc
- ZXMP6A17KTCDiodes Incorporated
FDN306Ponsemi
SPD09P06PLGBTMA1Infineon Technologies- ZXMP4A16KTCDiodes Incorporated
MJD210RLGonsemi
FDC606Ponsemi
