IPP60R190E6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-3
НОВА часть #:
312-2271479-IPP60R190E6XKSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPP60R190E6XKSA1
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 20.2A (Tc) 151W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO220-3 | |
| Базовый номер продукта | IPP60R190 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20.2A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190mOhm @ 9.5A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 630µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 63 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1400 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 151W (Tc) | |
| Другие имена | IPP60R190E6-ND IPP60R190E6 SP000797378 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPW60R190E6FKSA1Infineon Technologies
ZXTP2025FTADiodes Incorporated
FAN7393AMXonsemi
VS-63CTQ100-M3Vishay General Semiconductor - Diodes Division
DS1338C-33#Analog Devices Inc./Maxim Integrated
IPP60R190P6XKSA1Infineon Technologies
IPA60R190C6XKSA1Infineon Technologies
TOP257YNPower Integrations
