BSS606NH6327XTSA1
MOSFET N-CH 60V 3.2A SOT89
НОВА часть #:
312-2285205-BSS606NH6327XTSA1
Производитель:
Номер детали производителя:
BSS606NH6327XTSA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 3.2A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-SOT89 | |
| Базовый номер продукта | BSS606 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | OptiMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 60mOhm @ 3.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.3V @ 15µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 5.6 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-243AA | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 657 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 1W (Ta) | |
| Другие имена | SP000691152 BSS606NH6327XTSA1TR BSS606NH6327XTSA1DKR INFINFBSS606NH6327XTSA1 BSS606NH6327XTSA1-ND BSS606NH6327XTSA1CT 2156-BSS606NH6327XTSA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SBC848BLT1Gonsemi
- ZXMN6A07ZTADiodes Incorporated
- BSS606NH6327Infineon Technologies
- LD39050PU33RSTMicroelectronics
- RHP020N06T100Rohm Semiconductor
- LMV358IPTSTMicroelectronics
- ZXMN3A01ZTADiodes Incorporated







