RFD3055LESM9A
MOSFET N-CH 60V 11A TO252AA
НОВА часть #:
312-2271443-RFD3055LESM9A
Производитель:
Номер детали производителя:
RFD3055LESM9A
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 11A (Tc) 38W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Harris Corporation | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 11A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 107mOhm @ 8A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 11.3 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±16V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 38W (Tc) | |
| Другие имена | 2156-RFD3055LESM9A-HCTR ONSONSRFD3055LESM9A |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
FQD13N06LTMonsemi- IXTY01N100IXYS