SIJ494DP-T1-GE3

MOSFET N-CH 150V 36.8A PPAK SO-8
НОВА часть #:
312-2290422-SIJ494DP-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIJ494DP-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:

N-Channel 150 V 36.8A (Tc) 69.4W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8

More Information
КатегорияТранзисторы - FET, MOSFET - Single
ПроизводительVishay Siliconix
RoHS 1
УпаковкаTape & Reel (TR)
Рабочая Температура -55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепленияSurface Mount
Пакет устройств поставщика PowerPAK® SO-8
Базовый номер продукта SIJ494
ТехнологииMOSFET (Metal Oxide)
РядThunderFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C 36.8A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)7.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 23.2mOhm @ 15A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id 4.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs 31 nC @ 10 V
Полевой транзистор-
Пакет/кейсPowerPAK® SO-8
VGS (макс.)±20V
Тип полевого транзистораN-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)150 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds 1070 pF @ 75 V
Рассеиваемая мощность (макс.) 69.4W (Tc)
Другие именаSIJ494DP-T1-GE3TR
SIJ494DP-T1-GE3CT
SIJ494DP-T1-GE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.