STB30N80K5

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	D²PAK (TO-263)
Базовый номер продукта	STB30
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	MDmesh™ K5
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	24A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	180mOhm @ 12A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 100µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	43 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
VGS (макс.)	±30V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	800 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1530 pF @ 100 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	250W (Tc)
Другие имена	497-STB30N80K5DKR 497-STB30N80K5TR STB30N80K5-ND 497-STB30N80K5CT