SQ2318AES-T1_BE3
MOSFET N-CH 40V 8A SOT23-3
НОВА часть #:
312-2284794-SQ2318AES-T1_BE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQ2318AES-T1_BE3
Стандартный пакет:
3,000
N-Channel 40 V 8A (Tc) 3W (Tc) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | SOT-23-3 (TO-236) | |
| Базовый номер продукта | SQ2318 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 31mOhm @ 7.9A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 13 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 40 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 553 pF @ 20 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQ2318AES-T1_BE3DKR 742-SQ2318AES-T1_BE3TR 742-SQ2318AES-T1_BE3CT |
In stock Нужно больше?
0,39140 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQ2318AES-T1_GE3Vishay Siliconix- SI2318CDS-T1-GE3Vishay Siliconix
- SQ2318BES-T1_GE3Vishay Siliconix