FQD5N60CTM
MOSFET N-CH 600V 2.8A DPAK
НОВА часть #:
312-2287744-FQD5N60CTM
Производитель:
Номер детали производителя:
FQD5N60CTM
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 600 V 2.8A (Tc) 2.5W (Ta), 49W (Tc) Surface Mount TO-252AA
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | onsemi | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252AA | |
| Базовый номер продукта | FQD5N60 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | QFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 2.8A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.5Ohm @ 1.4A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 19 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 670 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 2.5W (Ta), 49W (Tc) | |
| Другие имена | FQD5N60CTMDKR FQD5N60CTMTR FQD5N60CTMCT FQD5N60CTM-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DN2470K4-GMicrochip Technology
DB104S-GComchip Technology
MAX6035BAUR50+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated
FCD5N60TMonsemi
