SCTWA60N120G2-4

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

SILICON CARBIDE POWER MOSFET 120

НОВА часть #:

312-2297729-SCTWA60N120G2-4

Производитель:

Номер детали производителя:

SCTWA60N120G2-4

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 1200 V 60A (Tc) 388W (Tc) Through Hole TO-247-4

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	STMicroelectronics
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 200°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	TO-247-4
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	60A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	52mOhm @ 30A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5V @ 1mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	94 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-4
VGS (макс.)	+22V, -10V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1969 pF @ 800 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	388W (Tc)
Другие имена	497-SCTWA60N120G2-4