IRL640SPBF
MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
НОВА часть #:
312-2288784-IRL640SPBF
Производитель:
Номер детали производителя:
IRL640SPBF
Стандартный пакет:
50
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 17A (Tc) 3.1W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D²PAK (TO-263) | |
| Базовый номер продукта | IRL640 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 17A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4V, 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 180mOhm @ 10A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 66 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1800 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 3.1W (Ta), 125W (Tc) | |
| Другие имена | *IRL640SPBF |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
HSMQ-C280Broadcom Limited
SDT30B100D1-13Diodes Incorporated
HSMS-C280Broadcom Limited
IRLL014TRPBFVishay Siliconix
