DMN1016UCB6-7
MOSFET N-CH 12V 5.5A U-WLB1510-6
НОВА часть #:
312-2273232-DMN1016UCB6-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN1016UCB6-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 12 V 5.5A (Ta) 920mW (Ta) Surface Mount U-WLB1510-6
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | U-WLB1510-6 | |
| Базовый номер продукта | DMN1016 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.5A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 2.5V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 1.5A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4.2 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | 6-UFBGA, WLBGA | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 12 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 423 pF @ 6 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 920mW (Ta) | |
| Другие имена | DMN1016UCB6-7DIDKR DMN1016UCB6-7DICT DMN1016UCB6-7DITR |
In stock Нужно больше?
0,37710 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMP2047UCB4-7Diodes Incorporated