PMV160UPVL
MOSFET P-CH 20V 1.2A TO236AB
НОВА часть #:
312-2298716-PMV160UPVL
Производитель:
Номер детали производителя:
PMV160UPVL
Стандартный пакет:
10,000
Технический паспорт:
P-Channel 20 V 1.2A (Ta) 335mW (Ta) Surface Mount TO-236AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-236AB | |
| Базовый номер продукта | PMV160 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1.2A (Ta) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 1.8V, 4.5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 210mOhm @ 1.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 950mV @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 4 nC @ 4.5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | |
| VGS (макс.) | ±8V | |
| Тип полевого транзистора | P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 365 pF @ 10 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 335mW (Ta) | |
| Другие имена | 2156-PMV160UPVL-NEX 934064761235 NEXNEXPMV160UPVL |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SI2301-3AMDD
- PMV160UP,215Nexperia USA Inc.
- PMV75UP,215Nexperia USA Inc.
- TSM2305CX RFGTaiwan Semiconductor Corporation
- FDG312PFairchild Semiconductor
- ADG731BCPZAnalog Devices Inc.
- DSS15UTRSMC Diode Solutions
- NX2301P,215NXP Semiconductors
- CPH3348-TL-Wonsemi
- NX3008PBKMB,315NXP USA Inc.
- TSM2301ACX RFGTaiwan Semiconductor Corporation









