BUK9Y14-80E,115
MOSFET N-CH 80V 62A LFPAK56
НОВА часть #:
312-2275026-BUK9Y14-80E,115
Производитель:
Номер детали производителя:
BUK9Y14-80E,115
Стандартный пакет:
1,500
Технический паспорт:
N-Channel 80 V 62A (Tc) 147W (Tc) Surface Mount LFPAK56, Power-SO8
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | LFPAK56, Power-SO8 | |
| Базовый номер продукта | BUK9Y14 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 62A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 5V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14mOhm @ 15A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.1V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 28.9 nC @ 5 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | SC-100, SOT-669 | |
| VGS (макс.) | ±10V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4640 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 147W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-1810-2 1727-1810-1 568-11424-2 934067029115 568-11424-1 568-11424-6-ND 568-11424-1-ND 568-11424-2-ND BUK9Y14-80E,115-ND 1727-1810-6 568-11424-6 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SQJA84EP-T1_GE3Vishay Siliconix
VGT12EEM-200S1A4TDK Corporation
CRH01(TE85L,Q,M)Toshiba Semiconductor and Storage
MC33GD3100EKNXP USA Inc.
BAT165E6327HTSA1Infineon Technologies
BUK9Y12-100E,115Nexperia USA Inc.
FC-135R 32.7680KA-AG3EPSON
PBSS5320T,215Nexperia USA Inc.
