SQ4435EY-T1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SQ4435
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	15A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	58 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	30 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2170 pF @ 15 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	6.8W (Tc)
Другие имена	SQ4435EY-T1_GE3-ND SQ4435EY-T1_GE3CT SQ4435EY-T1_GE3DKR SQ4435EY-T1_GE3TR