SQJ886EP-T1

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта	SQJ886
Технологии	MOSFET (Metal Oxide)
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	60A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4.5mOhm @ 15.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	65 nC @ 10 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
VGS (макс.)	±20V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	40 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	2922 pF @ 20 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	55W (Tc)
Другие имена	SQJ886EP-T1_GE3-ND SQJ886EP-T1-GE3 SQJ886EP-T1-GE3-ND SQJ886EP-T1_GE3CT SQJ886EP-T1_GE3DKR SQJ886EP-T1_GE3TR

In stock Нужно больше?

1,39050 $

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!