SUP90140E-GE3
MOSFET N-CH 200V 90A TO220AB
НОВА часть #:
312-2292226-SUP90140E-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SUP90140E-GE3
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
N-Channel 200 V 90A (Tc) 375W (Tc) Through Hole TO-220AB
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Through Hole | |
| Пакет устройств поставщика | TO-220AB | |
| Базовый номер продукта | SUP90140 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | ThunderFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 90A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 7.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 17mOhm @ 30A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 96 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-220-3 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 4132 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 375W (Tc) | |
| Другие имена | SUP90140E-GE3CT SUP90140E-GE3TR SUP90140E-GE3TR-ND SUP90140E-GE3DKR-ND SUP90140E-GE3CT-ND SUP90140E-GE3TRINACTIVE SUP90140E-GE3DKRINACTIVE SUP90140E-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
ISL21090BFB850Z-TKRenesas Electronics America Inc
VS-10BQ040-M3/5BTVishay General Semiconductor - Diodes Division
IPP120N20NFDAKSA1Infineon Technologies
IRFB4127PBFInfineon Technologies
SUP90142E-GE3Vishay Siliconix
LT1499IS#PBFAnalog Devices Inc.- IRFB4227PBFInfineon Technologies
LF411CDRTexas Instruments- IPP110N20N3GXKSA1Infineon Technologies
SUP90100E-GE3Vishay Siliconix
