PHB27NQ10T,118
MOSFET N-CH 100V 28A D2PAK
НОВА часть #:
312-2263457-PHB27NQ10T,118
Производитель:
Номер детали производителя:
PHB27NQ10T,118
Стандартный пакет:
800
Технический паспорт:
N-Channel 100 V 28A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount D2PAK
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Nexperia USA Inc. | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | D2PAK | |
| Базовый номер продукта | PHB27NQ10 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 28A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 50mOhm @ 14A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 30 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1240 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 107W (Tc) | |
| Другие имена | 1727-4763-1 1727-4763-2 PHB27NQ10T /T3-ND 1727-4763-6 PHB27NQ10T,118-ND 568-5940-1 568-5940-2 568-5940-6-ND 568-5940-6 PHB27NQ10T /T3 934055809118 568-5940-2-ND 568-5940-1-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
2SCR553RTLRohm Semiconductor
DMN10H220L-7Diodes Incorporated