SIDR626LEP-T1-RE3
N-CHANNEL 60 V (D-S) 175C MOSFET
НОВА часть #:
312-2269476-SIDR626LEP-T1-RE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIDR626LEP-T1-RE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
N-Channel 60 V 48.7A (Ta), 218A (Tc) 7.5W (Ta), 150W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8DC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8DC | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | TrenchFET® Gen IV | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 48.7A (Ta), 218A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 4.5V, 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.5mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 135 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 5900 pF @ 30 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 7.5W (Ta), 150W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIDR626LEP-T1-RE3CT 742-SIDR626LEP-T1-RE3TR 742-SIDR626LEP-T1-RE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SIDR626DP-T1-GE3Vishay Siliconix
TPH1R306PL,L1QToshiba Semiconductor and Storage
SIDR626LDP-T1-RE3Vishay Siliconix
NTMFS5H600NLT1Gonsemi
NVMTS0D7N06CLTXGonsemi
FDB0170N607LFairchild Semiconductor
LTC4231HMS-2#WPBFAnalog Devices Inc.
