IPB60R120P7ATMA1
MOSFET N-CH 650V 26A D2PAK
НОВА часть #:
312-2289038-IPB60R120P7ATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPB60R120P7ATMA1
Стандартный пакет:
1,000
Технический паспорт:
N-Channel 650 V 26A (Tc) 95W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO263-3 | |
| Базовый номер продукта | IPB60R120 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ P7 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 26A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120mOhm @ 8.2A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 410µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 36 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 650 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1544 pF @ 400 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 95W (Tc) | |
| Другие имена | IPB60R120P7ATMA1-ND IPB60R120P7ATMA1TR 2156-IPB60R120P7ATMA1 SP001664922 IPB60R120P7ATMA1DKR IPB60R120P7 IPB60R120P7ATMA1CT IFEINFIPB60R120P7ATMA1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IPB60R099P7ATMA1Infineon Technologies
H130B-25.000-10-F-1010-EXT-TRRaltron Electronics- SIHB28N60EF-GE3Vishay Siliconix