IMW65R039M1HXKSA1

JavaScript seems to be disabled in your browser. For the best experience on our site, be sure to turn on Javascript in your browser.

.mst-lazy {display:none;}

SILICON CARBIDE MOSFET, PG-TO247

НОВА часть #:

312-2273053-IMW65R039M1HXKSA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IMW65R039M1HXKSA1

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

N-Channel 650 V 46A (Tc) 176W (Tc) Through Hole PG-TO247-3-41

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Single
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Through Hole
Пакет устройств поставщика	PG-TO247-3-41
Технологии	SiCFET (Silicon Carbide)
Ряд	CoolSiC™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	46A (Tc)
Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.)	18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	50mOhm @ 25A, 18V
Vgs(th) (макс.) @ Id	5.7V @ 7.5mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	41 nC @ 18 V
Полевой транзистор	-
Пакет/кейс	TO-247-3
VGS (макс.)	+20V, -2V
Тип полевого транзистора	N-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	650 V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1393 pF @ 400 V
Рассеиваемая мощность (макс.)	176W (Tc)
Другие имена	448-IMW65R039M1HXKSA1