R8001CND3FRATL
MOSFET N-CH 800V 1A TO252
НОВА часть #:
312-2273420-R8001CND3FRATL
Производитель:
Номер детали производителя:
R8001CND3FRATL
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 800 V 1A (Tc) 36W (Tc) Surface Mount TO-252
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | TO-252 | |
| Базовый номер продукта | R8001 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101 | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 1A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.7Ohm @ 500mA, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 1mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 7.2 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±30V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 60 pF @ 25 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 36W (Tc) | |
| Другие имена | 846-R8001CND3FRATLCT 846-R8001CND3FRATLDKR 846-R8001CND3FRATLTR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
STD4NK100ZSTMicroelectronics
R8002CND3FRATLRohm Semiconductor
FQD1N80TMonsemi
2N7002NXAKRNexperia USA Inc.
