IPD80R1K4CEATMA1
MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3
НОВА часть #:
312-2290401-IPD80R1K4CEATMA1
Производитель:
Номер детали производителя:
IPD80R1K4CEATMA1
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
N-Channel 800 V 3.9A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Single | |
| Производитель | Infineon Technologies | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PG-TO252-3 | |
| Базовый номер продукта | IPD80R1 | |
| Технологии | MOSFET (Metal Oxide) | |
| Ряд | CoolMOS™ | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 3.9A (Tc) | |
| Напряжение привода (макс. Rds вкл., Min Rds вкл.) | 10V | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.4Ohm @ 2.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.9V @ 240µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 23 nC @ 10 V | |
| Полевой транзистор | - | |
| Пакет/кейс | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | |
| VGS (макс.) | ±20V | |
| Тип полевого транзистора | N-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 800 V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 570 pF @ 100 V | |
| Рассеиваемая мощность (макс.) | 63W (Tc) | |
| Другие имена | SP001130972 IPD80R1K4CEATMA1-ND IPD80R1K4CEATMA1TR IPD80R1K4CEATMA1CT IPD80R1K4CEATMA1DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
IXTY08N50D2IXYS
IPD80R2K8CEATMA1Infineon Technologies
3SMAJ5944B-TPMicro Commercial Co
MM3Z5V6T1Gonsemi