SI5935CDC-T1-GE3
MOSFET 2P-CH 20V 4A 1206-8
НОВА часть #:
303-2250898-SI5935CDC-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI5935CDC-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 P-Channel (Dual) 20V 4A 3.1W Surface Mount 1206-8 ChipFET™
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 1206-8 ChipFET™ | |
| Базовый номер продукта | SI5935 | |
| Пакет/кейс | 8-SMD, Flat Lead | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 100mOhm @ 3.1A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 11nC @ 5V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 455pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 3.1W | |
| Другие имена | SI5935CDC-T1-GE3DKR SI5935CDC-T1-GE3CT SI5935CDC-T1-GE3TR SI5935CDCT1GE3 |
In stock Нужно больше?
0,47570 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI5935CDC-T1-E3Vishay Siliconix
INA226AIDGSRTexas Instruments
LT3652IDD#PBFAnalog Devices Inc.
