SI9945BDY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC

НОВА часть #:

303-2248151-SI9945BDY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI9945BDY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI9945
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	5.3A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 4.3A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	3V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	20nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	665pF @ 15V
Мощность - Макс.	3.1W
Другие имена	SI9945BDY-T1-GE3TR SI9945BDY-T1-GE3CT SI9945BDY-T1-GE3-ND SI9945BDYT1GE3 SI9945BDY-T1-GE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!