SIS932EDN-T1-GE3
MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 1212-8
НОВА часть #:
303-2249052-SIS932EDN-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIS932EDN-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A (Tc) 2.6W (Ta), 23W (Tc) Surface Mount PowerPAK® 1212-8 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Базовый номер продукта | SIS932 | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® 1212-8 Dual | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 6A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 22mOhm @ 10A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 14nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000pF @ 15V | |
| Мощность - Макс. | 2.6W (Ta), 23W (Tc) | |
| Другие имена | SIS932EDN-T1-GE3TR SIS932EDN-T1-GE3CT SIS932EDN-T1-GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SISB46DN-T1-GE3Vishay Siliconix