EPC2105
GAN TRANS ASYMMETRICAL HALF BRID
НОВА часть #:
303-2243658-EPC2105
Производитель:
Номер детали производителя:
EPC2105
Стандартный пакет:
500
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A - Surface Mount Die
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | EPC | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Die | |
| Пакет/кейс | Die | |
| Ряд | eGaN® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9.5A, 38A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 14.5mOhm @ 20A, 5V, 3.4mOhm @ 20A, 5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 2.5mA, 2.5V @ 10mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 2.5nC @ 5V, 10nC @ 5V | |
| Полевой транзистор | GaNFET (Gallium Nitride) | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 300pF @ 40V, 1100pF @ 40V | |
| Мощность - Макс. | - | |
| Другие имена | 917-1185-6 917-1185-2 917-1185-1 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
