SI3585CDV-T1-GE3

MOSFET N/P-CH 20V 3.9A 6TSOP

НОВА часть #:

303-2361132-SI3585CDV-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI3585CDV-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.9A, 2.1A 1.4W, 1.3W Surface Mount 6-TSOP

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	6-TSOP
Базовый номер продукта	SI3585
Пакет/кейс	SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	3.9A, 2.1A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	58mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	4.8nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	N and P-Channel
Напряжение сток-исток (Vdss)	20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	150pF @ 10V
Мощность - Макс.	1.4W, 1.3W
Другие имена	SI3585CDV-T1-GE3-ND SI3585CDV-T1-GE3TR SI3585CDV-T1-GE3CT SI3585CDV-T1-GE3DKR

In stock Нужно больше?

0,34850 $

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!