SI4288DY-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 40V 9.2A 8SO

НОВА часть #:

303-2249464-SI4288DY-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI4288DY-T1-GE3

Стандартный пакет:

2,500

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 9.2A 3.1W Surface Mount 8-SOIC

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	8-SOIC
Базовый номер продукта	SI4288
Пакет/кейс	8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.2A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	15nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	40V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	580pF @ 20V
Мощность - Макс.	3.1W
Другие имена	SI4288DY-T1-GE3DKR SI4288DY-T1-GE3CT SI4288DY-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!