SIB912DK-T1-GE3

MOSFET 2N-CH 20V 1.5A SC-75-6

НОВА часть #:

303-2247444-SIB912DK-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIB912DK-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 20V 1.5A 3.1W Surface Mount PowerPAK® SC-75-6L Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Базовый номер продукта	SIB912
Пакет/кейс	PowerPAK® SC-75-6L Dual
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	1.5A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	216mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs(th) (макс.) @ Id	1V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	3nC @ 8V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	20V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	95pF @ 10V
Мощность - Макс.	3.1W
Другие имена	SIB912DKT1GE3 SIB912DK-T1-GE3DKR SIB912DK-T1-GE3CT SIB912DK-T1-GE3TR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!