SQJ262EP-T1

SQJ262EP-T1_GE3

MOSFET 2 N-CH 60V POWERPAK SO8

НОВА часть #:

303-2250052-SQJ262EP-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQJ262EP-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 15A (Tc), 40A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
Базовый номер продукта	SQJ262
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	15A (Tc), 40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35.5mOhm @ 2A, 10V, 15.5mOhm @ 5A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.5V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	10nC @ 10V, 23nC @ 10V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	60V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	550pF @ 25V, 1260pF @ 25V
Мощность - Макс.	27W (Tc), 48W (Tc)
Другие имена	SQJ262EP-T1_GE3CT SQJ262EP-T1_GE3DKR SQJ262EP-T1_GE3TR

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!