MSCSM120AM027CD3AG

.mst-lazy {display:none;}

PM-MOSFET-SIC-SBD~-D3

НОВА часть #:

303-2249189-MSCSM120AM027CD3AG

Производитель:

Номер детали производителя:

MSCSM120AM027CD3AG

Стандартный пакет:

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N Channel (Phase Leg) 1200V (1.2kV) 733A (Tc) 2.97kW (Tc) Chassis Mount D3

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Microchip Technology
RoHS	1
Рабочая Температура	-40°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Chassis Mount
Пакет устройств поставщика	D3
Базовый номер продукта	MSCSM120
Пакет/кейс	Module
Ряд	-
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	733A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.5mOhm @ 360A, 20V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.8V @ 9mA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	2088nC @ 20V
Полевой транзистор	Silicon Carbide (SiC)
Тип полевого транзистора	2 N Channel (Phase Leg)
Напряжение сток-исток (Vdss)	1200V (1.2kV)
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	27000pF @1000V
Мощность - Макс.	2.97kW (Tc)
Другие имена	150-MSCSM120AM027CD3AG

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!