IPG20N10S4L35AATMA1

MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON

НОВА часть #:

303-2251813-IPG20N10S4L35AATMA1

Производитель:

Номер детали производителя:

IPG20N10S4L35AATMA1

Стандартный пакет:

5,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 20A 43W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Infineon Technologies
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount, Wettable Flank
Пакет устройств поставщика	PG-TDSON-8-10
Базовый номер продукта	IPG20N10
Пакет/кейс	8-PowerVDFN
Ряд	Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs	35mOhm @ 17A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.1V @ 16µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	17.4nC @ 10V
Полевой транзистор	Logic Level Gate
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	100V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1105pF @ 25V
Мощность - Макс.	43W
Другие имена	SP001091928 2156-IPG20N10S4L35AATMA1 INFINFIPG20N10S4L35AATMA1

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!