SIZ340BDT-T1-GE3
DUAL N-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET
НОВА часть #:
303-2246911-SIZ340BDT-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIZ340BDT-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) Surface Mount 8-Power33 (3x3)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-Power33 (3x3) | |
| Базовый номер продукта | SIZ340 | |
| Пакет/кейс | 8-PowerWDFN | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 16.9A (Ta), 36A (Tc), 25.3A (Ta), 69.3A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 8.56mOhm @ 10A, 10V, 4.31mOhm @ 20A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12.6nC @ 10V, 23.5nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 550pF @ 15V, 1065pF @ 15V | |
| Мощность - Макс. | 3.7W (Ta), 16.7W (Tc), 4.2W (Ta), 31W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SIZ340BDT-T1-GE3DKR 742-SIZ340BDT-T1-GE3TR 742-SIZ340BDT-T1-GE3CT |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
74AHCT1G126QW5-7Diodes Incorporated
SIZ340ADT-T1-GE3Vishay Siliconix- SIZ342DT-T1-GE3Vishay Siliconix
150066RG54050Würth Elektronik
TCJD107M025R0055Kyocera AVX
MAX17085BETL+TAnalog Devices Inc./Maxim Integrated- SIZ342ADT-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIZ346DT-T1-GE3Vishay Siliconix
