SQJ912BEP-T1

SQJ912BEP-T1_GE3

MOSFET N-CH DUAL 40V PPSO-8L

НОВА часть #:

303-2251592-SQJ912BEP-T1_GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SQJ912BEP-T1_GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 30A (Tc) 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 175°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта	SQJ912
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
Ряд	Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	11mOhm @ 9A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	60nC @ 10V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	40V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	3000pF @ 25V
Мощность - Макс.	48W (Tc)
Другие имена	SQJ912BEP-T1_GE3CT SQJ912BEP-T1_GE3DKR SQJ912BEP-T1_GE3TR

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!