BSM300D12P3E005
SILICON CARBIDE POWER MODULE. B
НОВА часть #:
303-2248925-BSM300D12P3E005
Производитель:
Номер детали производителя:
BSM300D12P3E005
Стандартный пакет:
4
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 1200V (1.2kV) 300A (Tc) 1260W (Tc) Chassis Mount Module
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Rohm Semiconductor | |
| RoHS | 1 | |
| Рабочая Температура | -40°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Chassis Mount | |
| Пакет устройств поставщика | Module | |
| Базовый номер продукта | BSM300 | |
| Пакет/кейс | Module | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 300A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | - | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.6V @ 91mA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | - | |
| Полевой транзистор | Silicon Carbide (SiC) | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Half Bridge) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 1200V (1.2kV) | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 14000pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 1260W (Tc) | |
| Другие имена | 846-BSM300D12P3E005 |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
WAB300M12BM3Wolfspeed, Inc.
BSM400D12P3G002Rohm Semiconductor
BSM300D12P2E001Rohm Semiconductor
