SI4900DY-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 60V 5.3A 8-SOIC
НОВА часть #:
303-2250828-SI4900DY-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SI4900DY-T1-GE3
Стандартный пакет:
2,500
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 60V 5.3A 3.1W Surface Mount 8-SOIC
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | 8-SOIC | |
| Базовый номер продукта | SI4900 | |
| Пакет/кейс | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 5.3A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 58mOhm @ 4.3A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 20nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 665pF @ 15V | |
| Мощность - Макс. | 3.1W | |
| Другие имена | SI4900DY-T1-GE3DKR SI4900DY-T1-GE3TR SI4900DY-T1-GE3CT SI4900DY-T1-GE3-ND |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
SI4900DY-T1-E3Vishay Siliconix