SI7252ADP-T1-GE3

DUAL N-CHANNEL 100-V (D-S) MOSFE

НОВА часть #:

303-2247932-SI7252ADP-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SI7252ADP-T1-GE3

Стандартный пакет:

6,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 100V 9.3A (Ta), 28.7A (Tc) 3.6W (Ta), 33.8W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	9.3A (Ta), 28.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18.6mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	26.5nC @ 10V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	100V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	1266pF @ 50V
Мощность - Макс.	3.6W (Ta), 33.8W (Tc)
Другие имена	742-SI7252ADP-T1-GE3TR 742-SI7252ADP-T1-GE3CT 742-SI7252ADP-T1-GE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!