SIA519EDJ-T1-GE3
MOSFET N/P-CH 20V 4.5A SC70-6
НОВА часть #:
303-2250913-SIA519EDJ-T1-GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SIA519EDJ-T1-GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array N and P-Channel 20V 4.5A 7.8W Surface Mount PowerPAK® SC-70-6 Dual
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Базовый номер продукта | SIA519 | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SC-70-6 Dual | |
| Ряд | TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 4.5A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 40mOhm @ 4.2A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 12nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | N and P-Channel | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 350pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 7.8W | |
| Другие имена | SIA519EDJT1GE3 SIA519EDJ-T1-GE3DKR SIA519EDJ-T1-GE3CT SIA519EDJ-T1-GE3TR |
In stock Нужно больше?
0,49960 $
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SN74LV4T125RGYRTexas Instruments
- SMP1330-040LFSkyworks Solutions Inc.
- SIA537EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA517DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA527DJ-T1-GE3Vishay Siliconix
- TPS7A2433DBVRTexas Instruments
- FDN335Nonsemi
- SI7615ADN-T1-GE3Vishay Siliconix
- SIA533EDJ-T1-GE3Vishay Siliconix




