SIRB40DP-T1-GE3

MOSFET 2 N-CH 40V POWERPAK SO8

НОВА часть #:

303-2247920-SIRB40DP-T1-GE3

Производитель:

Номер детали производителя:

SIRB40DP-T1-GE3

Стандартный пакет:

3,000

Технический паспорт:

Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 40V 40A (Tc) 46.2W Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual

More Information
Категория	Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
Производитель	Vishay Siliconix
RoHS	1
Упаковка	Tape & Reel (TR)
Рабочая Температура	-55°C ~ 150°C (TJ)
Тип крепления	Surface Mount
Пакет устройств поставщика	PowerPAK® SO-8 Dual
Базовый номер продукта	SIRB40
Пакет/кейс	PowerPAK® SO-8 Dual
Ряд	TrenchFET®
Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C	40A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	3.25mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (макс.) @ Id	2.4V @ 250µA
Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs	45nC @ 4.5V
Полевой транзистор	Стандартный
Тип полевого транзистора	2 N-Channel (Dual)
Напряжение сток-исток (Vdss)	40V
Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds	4290pF @ 20V
Мощность - Макс.	46.2W
Другие имена	SIRB40DP-T1-GE3CT SIRB40DP-T1-GE3TR SIRB40DP-T1-GE3DKR

In stock Пожалуйста свяжитесь с нами

Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.

Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!