SQJ264EP-T1_GE3
AUTOMOTIVE DUAL N-CHANNEL 60 V (
НОВА часть #:
303-2247768-SQJ264EP-T1_GE3
Производитель:
Номер детали производителя:
SQJ264EP-T1_GE3
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical 60V 20A (Tc), 54A (Tc) 27W (Tc), 48W (Tc) Surface Mount PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Vishay Siliconix | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 175°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric | |
| Базовый номер продукта | SQJ264 | |
| Пакет/кейс | PowerPAK® SO-8 Dual | |
| Ряд | Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 20A (Tc), 54A (Tc) | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 20mOhm @ 6A, 10V, 8.6mOhm @ 10A, 10V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3.5V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16nC @ 10V, 32nC @ 10V | |
| Полевой транзистор | Стандартный | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1000pF @ 25V, 2100pF @ 25V | |
| Мощность - Макс. | 27W (Tc), 48W (Tc) | |
| Другие имена | 742-SQJ264EP-T1_GE3TR 742-SQJ264EP-T1_GE3CT SQJ264EP-T1 GE3 742-SQJ264EP-T1_GE3DKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
- SQJ958EP-T1_GE3Vishay Siliconix
- SQJ260EP-T1_GE3Vishay Siliconix
