DMN2014LHAB-7
MOSFET 2N-CH 20V 9A 6-UDFN
НОВА часть #:
303-2250799-DMN2014LHAB-7
Производитель:
Номер детали производителя:
DMN2014LHAB-7
Стандартный пакет:
3,000
Технический паспорт:
Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 9A 800mW Surface Mount U-DFN2030-6 (Type B)
| Категория | Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы | |
| Производитель | Diodes Incorporated | |
| RoHS | 1 | |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) | |
| Рабочая Температура | -55°C ~ 150°C (TJ) | |
| Тип крепления | Surface Mount | |
| Пакет устройств поставщика | U-DFN2030-6 (Type B) | |
| Базовый номер продукта | DMN2014 | |
| Пакет/кейс | 6-UFDFN Exposed Pad | |
| Ряд | - | |
| Ток — непрерывный слив (Id) при 25°C | 9A | |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13mOhm @ 4A, 4.5V | |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 250µA | |
| Заряд затвора (Qg) (макс.) @ Vgs | 16nC @ 4.5V | |
| Полевой транзистор | Logic Level Gate | |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) Common Drain | |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V | |
| Входная емкость (Ciss) (макс.) при Vds | 1550pF @ 10V | |
| Мощность - Макс. | 800mW | |
| Другие имена | DMN2014LHAB-7DICT DMN2014LHAB-7DITR DMN2014LHAB-7DIDKR |
In stock Пожалуйста свяжитесь с нами
Не та цена, которую вы хотите? Заполните формы, и мы свяжемся с вами как можно скорее.
Мы нашли другие продукты, которые могут вам понравиться!
DMN3018SSS-13Diodes Incorporated
FDMB2307NZonsemi
DMN2028UFU-7Diodes Incorporated
